中稱可製8奈米晶片被打臉! 精度只有65奈米 是ASML18年前水準
臺北醫學大學
厲害啦；中國偉大復興
中稱可製8奈米晶片被打臉! 乾式DUV精度只有65奈米 是ASML18年前水準
中國最近高興宣稱已突破 8 奈米的晶片製程，卻慘遭自家中媒打臉說晶片的精度其實只有 65 奈米。
中媒《芯智訊》近日報導，有人一看到中國國產光刻機「套刻 ≤8nm」就認為這是 8nm，高興宣傳「可生產 8 奈米晶片」，突破美國封鎖，其實是錯誤的。
中共工信部於 9 月初公佈「首台（套）重大技術裝備推廣應用指導目錄」，列出全新自製 DUV 光刻機，解析度為 ≤65nm，「套刻精度」 ≤8nm。
《芯智訊》解釋說，氟化氪光刻機其實就是老式的 248nm 光源的 KrF 光刻機，解析度為 ≤110nm，套刻精度 ≤25nm；披露的這款是乾式 DUV 光刻機，而非更先進的浸沒式 DUV 光刻機（也被稱為 ArFi 光刻機）。
由中國工信部的參數顯示，此DUV 光刻機解析度為 ≤65nm，套刻精度 ≤8nm，仍並未達到可以生產 28 奈米晶片的程度。
