（中央社記者張榮祥台南26日電）國立成功大學晶體研究中心今天在南科台達大樓開幕，也是目前國內唯一具備超高溫（2300°C以上）大尺寸碳化矽（SiC）晶體生長技術的學術機構，將讓台灣半導體材料技術再突破