基於各大記憶體原廠將資源與產能集中於 HBM 生產或進行製程升級，從而排擠了常規記憶體產能，短期內記憶體仍將維持供需吃緊態勢。至於中國廠商雖然有擴廠計畫，但因半導體產能從建廠到量產需耗時 2 至 3

由於無塵室空間有限，NAND 原廠為追求規模經濟與資本效率，正積極將資源從單位產值最低的 MLC 架構，轉向主流的 TLC、QLC 及 DRAM。三星、美光、鎧俠與海力士均已制定明確的 EOL（停產）

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元大發布記憶體產業報告，提到過往四次記憶體循環只是供給端 DRAM 換代與短期的補庫存需求，通常報價上升週期僅維持 2~3 季。而能延續 4~6 季報價上升之週期，則由強勁之需求所帶動，例如：1） 2

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